Главная Диоды и транзисторы



Материал, структура, технологи!;

о & О

КТ913В

n-p-n, ПЭ 12

5=900

3,5 1 (2*)

<50* (55 B)

2N4430

n-p-n, ПЭ 10

3,5 1

2N4431

n-p-n, ПЭ 18

3.5 2

RFD410 RFD420 2SC978

Si, Si,

n-p-n, ПЭ - n-p-n. ПЭ - n-p-n, ПЭ 18

1300

3.5 1,2

BLX92

n-p-n, ПЭ6

1200

4 0,7

(2*) 4 1 (3*)

BLX93

n-p-n, ПЭ 12,5

1200

NE1010E-28

n-p-n, ПЭ 25

3,5 2,5

1 (28 B)

2SC977

n-p-n, ПЭ 10

1300

3,5 0,6

2N5764

n-p-n, ПЭ 10

3,5 0,75

2N5765

n-p-n, ПЭ 19

3,5 1,5

КТ911А

n-p-n, ПЭЗ

5900

3 0,4

€5 (55 B)

КТ911Б

n-p-n, ПЭ 3

5750

3 0,4

<5 (55 B)

КТ911В

n-p-n, ПЭЗ

3 0,4

<5 (40 B)

КТ911Г

np-n. ПЭЗ

3 0,4

=5 (40 B)

2N4429

np-n, ПЭ5

5=700

3,5 0,425

2N4976

n-pn, ПЭ5

1000

3,5 0.4

"213

. о.

10 (ЮВ; 0,5 А)

20...200 (5 В; 0,1 А) 20.200 (5 В; 0,1 А)

Ю...180

(28 В;

50 мА) 510 (5 В;

0,1 А)

10...35

(5 В; 1 А)

20... 180

(ЮВ;

0,5 А)

10...180

(28 В;

50 мА) 20 (5 В;

0,1 А) 20 (5 В;

0,1 А)

20...200 (5 В; • 50 мА) 20...250 (5 В; 50 мА)

<14

(28 В)

1,7 1,7

(28 В)

<15 5J0

- 2,5

2,5 5

- 2,5

- 10

- 52,5

€10 (28 В) <10 (28 В) €10 (28 В) €10 (28 В)

5,5 5,2

<5

<25

5=0,8

<5

<25

50,8

<5

>0,8

€100

50,8

5 35 1000 28 5=25 2000 28

>.

*

1000

1000

ТО-129

1000

ТО-129

1000

ТО-129

1000

ТО-129

1000

МТ-83

1000

МТ-84

1000

МТ-84

1000

ТО-128

1000

МТ-83

1000

МТ-77

1000

МТ-77

1800

1000

1800

1000

МТ-59 ТО-129



Тип прибора

Материал, структура, технология

(-to

E a.

S. s

&

<

<

2N5481

Si, n-p-n, ПЭ5

8SC976

Si, n-p-n, ПЭ 5

1300

3,5 0,4

<0,1 (28 В)

КТ902А

Si, n-p-n, Д

<10 (70 В)

(50°C)

(110 имп)

КТ902АМ

Si. n-p-n, Д

=610 (70 В)

{50°C)

(110 имп)

2SC10IA

Si, n-p-n, M 35

BD121

Si, n-p-n, Д

BD123

Si, n-p-n, Д

2SD68

Si, n-p-n, M 50

<10 (60 В)

КТ912А

Si, n-p-n, П 30

5=90

=650* (70 В)

(85°C)

(0,01 к)

КТ912Б

Si, n-p-n, П

5=90

<50* (70 В)

{85°C)

(0,01 к)

2N5070

Si, n-p-n, ПЭ 70

=610 (60 В)

(10*)

2N6093

Si, n-p-n, ПЭ 83,3

3,5 10

<30* (60 В)

40675

Si, n-p-n, ПЭ 100

3,5 10 (30*)

<30* (60 В)

(50°C)

КТ903А

Si, n-p-n,

3(5*)

<10* (70 В)

(60*)

(80 имп)

КТ903Б

Si, n-p-n,

5=120

3 (5*)

=610* (70 В)

(60*)

(80 имп)

2N2947

Si, n-p-n, ПЭ 25

=61 (50 В)

2N2948

Si, n-p-n, ПЭ 25

5=100

=61 (30 В)

2SC517

Si, n-p-n, ПЭ 10

5=150

=60,01 (ЗОВ)

20...250 (5 А; 50 мА) 10 (28 В; 20 мА)

15 (ЮВ;

2 А) 5=15 (10 В;

2 А)

30 (ЮВ; 0,5 А) 15 (10 В; 0,1 А) 15 (10 В; 0,1 А) 60 (5 В; 1А)

10...50 (ЮВ; 5 А) 20...100 (ЮВ; 5 А) 10...100 (5 В; ЗА) 20 (6 В; 5 А)

15...70 (10 В; 2 А) 40...180 (10 В; 2 А)

6...60 (2 В; 0,4 А) 2,5...100 (2 В; 0,4 А) 10...140 (5 В; 0,5 А)

(10 В) =6300 (10 В)

<85

(30 В)

<250

(ЗОВ)

=6250

(30 В)

=6180

(30 В)

=6180

(ЗОВ)

<60 (25 В) <60 (25 В)

<50 (ЮВ)

5=25

2000

МТ 74

1000

МТ-83

<1

<1

ТО-6»

<0,65

ТО 3

=60,65

ТО-З

ТО-З

60,12

5=70*

5=50

<0,12

5=10

525*

5:13

5=40

ТО-60

5=75*

МТ-67

5=75*

МТ-67

=61.25

=61,25

<0,5

5=60

ТО-З

=60,5

ТО-З

ТО-37



РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ И ЗАРУБЕЖНЫЕ ДИОДЫ

4.1. БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИОДОВ

Буквенное обозначение параметра

отечественн02

зарубежное

Термин

Опр lJo6p

lap Io«p

tkOO

Uo6p max lop, cp шах

AUoT

Pmax

u« ь

Ctot tr,

Uii max If max

и. и

Pmax Тг

Постоянное прямое напряжение

Постоянное обратное напряжение

Постоянный прямой ток

Постоянный обратный ток

Общая емкость диода

Время восстановления обратного сопротивления

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение

Максимально допустимый средний прямой ток

Допустимый разброс напряжения стабилизации

Напряжение стабилизации

Ток стабилизации

Максимально допустимая рассеиваемая мощность стабилитрона

Дифференциальное сопротивление стабилитрона

Температурный коэффициент напряжения стабилизации

с: <

ш иа >> о. < т

2 §

ш оа

ш sr ш н

о ё.

ш н S

ё

а. С 3

oXudoH

Э- L

а .dgof

хеш (190д „(iu

хеш dD dUj

g .хеш dpOj

с о я о Н 5

" (М 00 00 ,

...... iw- 0"9

S-iQQ-i-i<C-tia.<QQ I < Q-< •* U Q 6-J U UU

. ,< <<<< „<<<<

ОЮ1Л1ЛОООООООЮО I оюооо<2ооооо

о ID 1Л о о о о о о о о о 1Л 00;*00f-f-- lOOOO

ОООООООООО-ОО 100Ю0000 10 10<МО (М~ - 00- чОСЧОсО-- -

I М IS I 1 1 I I I I 1 I I 2---- 1- 1 1

С0(МОЮООООСМССО1ЛО(МЮ1ЛО(М1Л1ЛЮ-

1Л .з.-<м OCI - - - -с--с «Тэт тс--

ю сот т

Ю о 1Л со

СОООО-*тССОООООООЮ1ЛОСОЕЕОЮ1ЛЮО

- со с

оос1ююююоююто1тпоооооЬг(г<5ооо1

fli О) О) О) О) О) flJ flJ flJ ..н ..н ..н -н ..н ... ..н .-

ООООООООООООООООООслсЛсЛсЛсяслсяся



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 [44] 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66


0.022